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CSD87334Q3D

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 12A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
Power - Max6W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD87334Q3D

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