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STS4C3F60L

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030pF @ 25V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 STS4C3F60L

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