臺(tái)積電美國(guó)工廠首出4納米晶圓，英偉達(dá)/蘋(píng)果訂單已就位
據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的工廠已成功為蘋(píng)果、NVIDIA和AMD等科技巨頭制造出首批芯片。其中，首批搭載NVIDIA最新Blackwell架構(gòu)的AI GPU芯片(采用4NP制程)已運(yùn)往臺(tái)灣地區(qū)，采用CoWoS技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。這一成果標(biāo)志著臺(tái)積電美國(guó)工廠正式邁入量產(chǎn)階段，其生產(chǎn)能力得到了市場(chǎng)的初步驗(yàn)證。
據(jù)悉，亞利桑那州廠的訂單涵蓋了蘋(píng)果A16芯片、AMD第五代EPYC處理器及英偉達(dá)B系列芯片，首批生產(chǎn)的晶圓數(shù)量超過(guò)2萬(wàn)片。不過(guò)，盡管臺(tái)積電已與美國(guó)Amkor公司合作，在美國(guó)開(kāi)發(fā)先進(jìn)封裝能力，但其首批芯片將運(yùn)往臺(tái)灣封裝成集成電路。為此，臺(tái)積電已經(jīng)將今年的封裝產(chǎn)能從去年的7.5萬(wàn)片擴(kuò)大到11.5萬(wàn)片。
2025年1月12日，時(shí)任美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜?雷蒙多確認(rèn)，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠(Fab 21)一期已于2025年初開(kāi)始為美國(guó)客戶生產(chǎn)4nm芯片。事實(shí)上，早在2024年第四季度，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的Fab 21晶圓廠就已進(jìn)入大批量生產(chǎn)4nm工藝(N4P)芯片的階段。
臺(tái)積電目前在亞利桑那州規(guī)劃三座芯片廠，第一座在今年上半年量產(chǎn)，生產(chǎn)先進(jìn)的4納米芯片，最大月產(chǎn)能可能會(huì)達(dá)到24000片；第二座將在2028年量產(chǎn)最先進(jìn)的2納米芯片；第三座已經(jīng)于今年4月提前動(dòng)工，有望在2028年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)，臺(tái)積電也希望未來(lái)能在美國(guó)本地完成芯片封裝，降低對(duì)臺(tái)灣地區(qū)封裝產(chǎn)能的依賴。
今年3月，臺(tái)積電還宣布將在美國(guó)追加投資1000億美元，如果加上既有三座工廠的投資，臺(tái)積電在美總投資金額將高達(dá)1650億美元。建成后，臺(tái)積電屆時(shí)在美國(guó)將擁有6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠、一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心。
這一系列規(guī)劃進(jìn)一步增強(qiáng)了美系客戶的下單意愿，蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD、高通、博通等美國(guó)企業(yè)在考慮地緣政治變化、異地備援生產(chǎn)需求增加的情況下，都紛紛提前鎖定了臺(tái)積電美國(guó)廠的產(chǎn)能。
然而，在臺(tái)積電美國(guó)工廠取得階段性成果的背后，高昂的生產(chǎn)成本成為了其發(fā)展道路上的一大障礙。有業(yè)內(nèi)人士指出，由于美國(guó)缺乏穩(wěn)定制程良率的材料以及半導(dǎo)體供應(yīng)鏈短缺等問(wèn)題，臺(tái)積電美國(guó)工廠的生產(chǎn)成本預(yù)計(jì)比現(xiàn)有工廠高出30%。
此外，美國(guó)本土工程師薪資高、工廠建設(shè)成本高、物流成本增加以及嚴(yán)格的環(huán)保法規(guī)帶來(lái)的額外支出等因素，共同推高了生產(chǎn)成本。這不僅壓縮了臺(tái)積電的利潤(rùn)空間，也可能導(dǎo)致其產(chǎn)品價(jià)格上漲，削弱其在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
