美光將投資2,000億美元助力美國半導體制造與研發
美光科技此次在美業務擴張的核心戰略目標包含三大維度：強化本土半導體產業、保障關鍵存儲芯片國產供應，以及滿足人工智能驅動增長帶來的預期市場需求。
美國制造業的戰略愿景
美光科技計劃投入約1,500億美元用于本土存儲器制造，另撥500億美元專攻研發，此舉重申其作為全球存儲技術長期領導者的戰略定位。研發投入聚焦人工智能、汽車及航空航天與國防三大關鍵領域，旨在確保美國持續保持產業領先優勢。
然而，美光科技近期警示稱，在美國建造半導體工廠的成本比亞洲同等規模設施高出35%-45%。
將HBM制造引入美國
圖1：美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra 圖片來源：美光
美光科技戰略核心在于大幅擴展并升級其在美國三個關鍵州的制造基地布局。
美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra強調，此項投資“將鞏固美國技術的領導地位，在半導體全產業鏈創造數萬個就業崗位，并保障對經濟及國家安全至關重要的半導體國產供應”。
美光科技計劃在愛達荷州博伊西建設第二座領先級存儲器制造晶圓廠。該晶圓廠預計將在紐約州首座晶圓廠之前建成投產，并與現有產線形成協同效應。愛達荷州首座晶圓廠的DRAM量產計劃定于2027年啟動。
紐約州的長期規劃包含建設最多四座領先級大規模量產晶圓廠。此外，美光將對弗吉尼亞州馬納薩斯市的制造基地實施現代化改造與擴建——此舉將通過把1α納米DRAM制程節點及其他關鍵技術從中國臺灣地區引進美國本土，強化美國半導體供應鏈安全。
此次擴張計劃的核心在于將高帶寬存儲器(HBM)的全流程制造能力引入美國市場。該技術被公認為人工智能市場的關鍵基石，將推動新一代AI技術的突破性發展。
此外，該公司已向關鍵客戶（包括英偉達）出貨36GB 12層HBM4樣品。愛達荷州兩座晶圓廠與美光研發中心的同址布局，旨在驅動規模經濟并加速HBM等尖端產品的上市進程。
圖2：愛達荷州博伊西市美光辦公樓 圖片來源：美光
重組全球內存供應鏈格局
美光在美國的擴張計劃旨在增強全球供應鏈韌性，并降低其因突發干擾而產生的供應鏈中斷風險。推動這一轉型的關鍵動因在于：當前尖端DRAM生產100%集中于海外，主要分布在東亞地區。
美光的戰略目標是在美國本土生產其40%的DRAM產能，這一戰略性再平衡將直接破解當前海外依賴困境。通過在弗吉尼亞州實現1-alpha DRAM制程節點的本土化量產，將顯著提升工業、汽車、國防與航空航天，以及醫療設備等關鍵領域的供應鏈韌性。
加速推進美國本土HBM制造對快速擴張的AI市場至關重要，此舉使美光能夠滿足預期需求并維持市場占有率。
經濟效應與人才驅動計劃
這些投資將在技術進步之外帶來顯著經濟效益，美光預計在愛達荷州、紐約州和弗吉尼亞州創造9萬個直接與間接就業崗位。
此外，美光已承諾投入超過3.25億美元培養新一代人才梯隊，確保為這些新興崗位持續輸送技術型人才。
該綜合計劃包含半導體課程開發、與社區學院合作推進學徒計劃，以及聯合高校拓寬半導體職業通道三大舉措。
強有力的政府支持
這項雄心勃勃的計劃獲得政府堅實支持，美光已獲得高達64億美元的《芯片法案》直接撥款，用于建設愛達荷州與紐約州晶圓廠，并擴建及升級弗吉尼亞州生產基地。
此外，美商務部此前已于2024年12月10日授予“最高61.65億美元的《芯片法案》直接資助”。
應對延期與環境挑戰
盡管該項目具有戰略重要性且獲得強力支持，但如此大規模工程的執行仍面臨多重復雜性。
紐約超級晶圓廠項目原計劃建成美國史上最大芯片制造基地，現已遭遇多次延期，據報投產時間推遲至“2025年11月下旬或12月——遠落后于原定的2024年6月目標工期”。
延期主因源于環境審查流程耗時，美國商務部與紐約州奧農達加縣開發機構要求延長審批周期。
特定挑戰包括需獲陸軍工程兵團批準方可“推平包含受保護濕地的白松商業公園”，且在園區內發現“兩種瀕危蝙蝠物種”，這要求美光必須“購置或劃定異地土地遷移這些‘有翼居民’”。
行業巨頭背書
如今，美光投資的規模與戰略價值獲得科技界多位頂尖CEO的廣泛支持。
AMD董事長兼CEO蘇姿豐博士表示：“美光擴大在美投資的舉措兼具及時性與戰略重要性，加強國內半導體供應鏈對加速人工智能及高性能計算創新至關重要。”
英偉達創始人兼CEO黃仁勛則盛贊此舉“是人工智能生態體系的重要進步”，并強調美光在高性能存儲領域的領導地位“對實現新一代人工智能突破不可或缺”。
微軟董事長兼CEO薩提亞·納德拉(Satya Nadella)補充道：“強化美國本土半導體制造能力將激發創新動能、創造高技能崗位并提升國家競爭力。”
然而，該項目仍面臨合規審查與環境因素等挑戰，已導致建設進度延遲。業界普遍支持凸顯該戰略計劃對半導體生態及宏觀經濟格局的重大影響。
