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RQ3E080BNTB

¥3.74
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RQ3E080BNTB

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