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CSD85302LT

¥7.92
FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max1.7W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case4-XFLGA
Supplier Device Package4-Picostar (1.31x1.31)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD85302LT

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