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STS4DNF60

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315pF @ 25V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 STS4DNF60

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