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SH8KA2GZETB

¥10.44
FET、MOSFET 陣列

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 15V
Power - Max2.8W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH8KA2GZETB

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