美光將于下月戰(zhàn)略重組，劃分四大核心部門
在人工智能浪潮推動下，高帶寬內(nèi)存（HBM）正成為存儲巨頭的戰(zhàn)略要地。為加速追趕行業(yè)龍頭SK海力士，美光科技近日宣布啟動重大組織架構(gòu)重組，并透露其下一代HBM4技術(shù)量產(chǎn)時間表，劍指2026年實現(xiàn)技術(shù)突破。
戰(zhàn)略重組：四大部門瞄準(zhǔn)細(xì)分市場
美光將業(yè)務(wù)劃分為四大核心部門：
- 云內(nèi)存業(yè)務(wù)部門（CMBU）：聚焦超大規(guī)模云服務(wù)商（如微軟、AWS）的定制化HBM及存儲解決方案，直接負(fù)責(zé)HBM技術(shù)研發(fā)與商業(yè)化；
- 核心數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門（CDBU）：服務(wù)戴爾、慧與等OEM服務(wù)器客戶，滿足傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心需求；
- 移動與客戶端業(yè)務(wù)部門（MCBU）及汽車與嵌入式業(yè)務(wù)部門（AEBU）：分別深耕消費電子與汽車智能化市場。
此次調(diào)整旨在強化對AI關(guān)鍵客戶的服務(wù)能力。據(jù)韓媒etnews分析，CMBU的設(shè)立凸顯美光對云巨頭定制需求的重視，而CDBU與CMBU的分工則精準(zhǔn)切分超大規(guī)?？蛻襞cOEM客戶的差異化需求。
Fluxless鍵合技術(shù)成HBM4關(guān)鍵
為突破當(dāng)前HBM堆疊技術(shù)瓶頸，美光正加速推進(jìn)下一代“Fluxless無焊劑鍵合”技術(shù)。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士近日透露，美光公司將從今年第二季度開始與各大后處理設(shè)備公司合作，對無助焊劑設(shè)備進(jìn)行質(zhì)量測試。
據(jù)了解，目前美光公司正在采用NCF（非導(dǎo)電粘合膜）工藝來制造HBM。該方法涉及將NCF材料插入每個DRAM堆棧，再使用TC粘合機通過熱壓縮將其連接起來其原理是NCF受熱熔化，連接DRAM之間的凸塊，固定整個芯片。
不過，現(xiàn)行NCF工藝在12層以上HBM3E堆疊中面臨材料填充不均、邊緣溢膠等問題，難以滿足HBM4（預(yù)計12-16層）更高密度需求。而根據(jù)制造商設(shè)備的不同，F(xiàn)luxless技術(shù)通過等離子體或甲酸等不同處理方式替代傳統(tǒng)助焊劑，直接去除凸塊氧化層，可提升堆疊可靠性與良率。
力圖縮小與SK海力士差距
如今，美光已與核心設(shè)備商達(dá)成深度合作。據(jù)The Elec報道，韓美半導(dǎo)體將向美光交付約50臺熱壓TC鍵合機，遠(yuǎn)超2024年的交付量，為美光的HBM3E擴產(chǎn)鋪路；下一代HBM4產(chǎn)線設(shè)備采購與測試同步推進(jìn)，目標(biāo)2026年量產(chǎn)，2027-2028年推出更先進(jìn)的HBM4E。
目前，美光12層HBM3E已向英偉達(dá)B300芯片供貨，但市場份額仍落后于SK海力士。據(jù)韓媒分析，此次重組與技術(shù)迭代雙管齊下，意在通過“定制化服務(wù)+前沿技術(shù)”組合拳爭奪AI芯片巨頭訂單。而三星電子同期啟動的無焊劑技術(shù)測試，則預(yù)示HBM4賽道將迎來更激烈的技術(shù)博弈。
美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新架構(gòu)將于2025年5月生效，同期啟用新財務(wù)報告體系。隨著HBM在AI服務(wù)器中的滲透率持續(xù)攀升（TrendForce統(tǒng)計，2023年HBM占DRAM總產(chǎn)值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比預(yù)計將超過30%），美光此番戰(zhàn)略調(diào)整或為其在萬億級AI存儲市場中贏得關(guān)鍵席位。
