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RHU002N06T106

¥3.02
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)200mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageUMT3
Package/ CaseSC-70, SOT-323

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RHU002N06T106

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