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CSD25310Q2

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單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds655 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.9W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WSON (2x2)
Package/ Case6-WDFN Exposed Pad

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD25310Q2

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