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RSR015P06HZGTL

¥4.68
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT3
Package/ CaseSC-96

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RSR015P06HZGTL

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