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RF4E100AJTCR

¥6.26
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1460 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageHUML2020L8
Package/ Case8-PowerUDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RF4E100AJTCR

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