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RCJ510N25TL

¥36.07
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 250V 51A LPTS

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.56W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RCJ510N25TL

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