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RQ6P015SPTR

¥5.76
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs322 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)600mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RQ6P015SPTR

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