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RSJ250P10TL

¥20.66
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 100V 25A LPTS

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8000 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RSJ250P10TL

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