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STH110N8F7-2

¥0.00
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)170W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageH2Pak-2
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STH110N8F7-2

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