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R6515ENZC8

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 15A TO3

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs315mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 430μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)60W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PF
Package/ CaseTO-3P-3 Full Pack

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 R6515ENZC8

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