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CSD16406Q3

¥0.00
單 FET、MOSFET

CSD16406Q3 - 25V, N-CHANNEL NEXF

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 12.5 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD16406Q3

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