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CSD25303W1015

¥2.16
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds435 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-DSBGA (1x1.5)
Package/ Case6-UFBGA, DSBGA

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD25303W1015

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