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STFW6N120K3

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)63W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PF
Package/ CaseTO-3P-3 Full Pack

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STFW6N120K3

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