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STS19N3LLH6

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1690 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STS19N3LLH6

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