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STL9P2UH7

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單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2390 pF @ 16 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.9W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerFlat? (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STL9P2UH7

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