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RW1A013ZPT2R

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單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 6 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WEMT
Package/ Case6-SMD, Flat Leads

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RW1A013ZPT2R

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