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CSD16342Q5AT

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單 FET、MOSFET

PROTOTYPE

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 12.5 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON (5x6)
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD16342Q5AT

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