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CSD16411Q3T

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單 FET、MOSFET

PROTOTYPE

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 12.5 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)35W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerTDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD16411Q3T

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