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QS6M3TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Power - Max1.25W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 QS6M3TR

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