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UM6J1NTN

¥3.46
FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 10V
Power - Max150mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageUMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 UM6J1NTN

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