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US6K1TR

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 US6K1TR

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