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QS8K21TR

¥6.84
FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 10V
Power - Max550mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 QS8K21TR

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