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SP8M70TB1

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 25V
Power - Max650mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SP8M70TB1

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