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SP8M3FU6TB1

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SP8M3FU6TB1

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