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DTA123YE3HZGTL

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PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

參數名稱參數值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max150 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSC-75, SOT-416
Supplier Device PackageEMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個預偏置雙極晶體管 產品 DTA123YE3HZGTL

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